低壓近場靜電紡絲技術通過減小紡絲距離降低紡絲電壓，既能減少能耗又能提高安全系數，而且有效地解決了傳統靜電紡絲過程的不穩定性，實現了纖維的可控沉積，為滿足目前工業化生產中對大規模制備微納米纖維以及控制纖維形貌的需求提供可能，因此在納米直寫技術、納米纖維大面積有序沉積、納米纖維高精度沉積、微電子系統等領域具有非常大的應用前景。

Sun 等在前期對近場電紡直寫有序納米纖維的研究基礎上，探索出近場電紡技術制備納米溝道的方法。首先利用近場靜電紡絲技術將納米纖維按預定軌道直接沉積在襯底上，之后在襯底上磁控濺射一層金膜作溝道材料，后將該襯底在lu仿中進行超聲清洗，納米纖維及覆蓋在其上的金即被剝離，進而形成一條納米溝道。實驗表明，溝道的寬度和形狀受近場電紡工藝參數的影響，當近場電壓從1.2kV 變化到2.5kV 時，相應的溝道寬度從133nm 變化到13.54um。此外，除去直線型納米溝道，通過調節基底的移動規律還可制備網格狀及波浪狀納米溝道。

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